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　　氧化鎂（MgO）單晶基片廣泛應(yīng)用在多個薄膜技術(shù)領(lǐng)域中。如用于制作磁學薄膜、半導(dǎo)體薄膜、光學薄膜和高溫超導(dǎo)薄膜等。由于MgO單晶在微波波段的介電常數(shù)和損耗都很小，且能得到大面積的基片（直徑2"及更大），所以是當前產(chǎn)業(yè)化的重要高溫超導(dǎo)薄膜單晶基片之一。 可用于制作移動通訊設(shè)備所需的高溫超導(dǎo)微波濾波器等器件。具有很大的現(xiàn)實及潛在應(yīng)用市場。

氧化鎂(MgO)單晶基片主要性能參數(shù)

生長方法	弧熔法
晶體結(jié)構(gòu)	立方
晶格常數(shù)	a=4.130 Å
熔點（℃）	2800
純度	99.95%
密度（g/cm3）	3.58
硬度	5.5（mohs）
熱膨脹系數(shù)（/℃）	11.2x10-6
晶體解理面	<100>
光學透過	>90%（200~400nm），>98%（500~1000nm）
介電常數(shù)	ε= 9.65
熱導(dǎo)率（卡／度 厘米 秒）	0.14  300°K
尺寸	10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20， dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm
厚度	0.5mm，1.0mm
拋光	單面或雙面
晶向	<001>±0.5º
晶面定向精度:	±0.5°
邊緣定向精度:	2°（特殊要求可達1°以內(nèi)）
斜切晶片	可按特定需求，加工邊緣取向的晶面按特定角度傾斜（傾斜角1°－45°）的晶片
Ra:	≤5Å（5µm×5µm）
主要特點	由于MgO單晶在微波波段的介電常數(shù)和損耗都很小，且能得到大面積的基片（直徑2英吋及更大），所以是當前產(chǎn)業(yè)化的重要高溫超導(dǎo)薄膜單晶基片之一。
主要用途	用于制作磁學薄膜、半導(dǎo)體薄膜、光學薄膜和高溫超導(dǎo)薄膜等,也可用于制作移動通訊設(shè)備所需的高溫超導(dǎo)微波濾波器等器件。
包裝	100級潔凈袋，1000級超凈室