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氮化鎵（GaN）具有寬的直接帶隙，強的原子鍵，高的熱導率等性質(zhì)和強的抗輻照能力，不僅是短波長光電子材料，也是高溫半導體器件的換代材料...

ScAlMgO4晶體是最近發(fā)展起來的一種GaN和ZnO異質(zhì)外延用理想的襯底材料，是目前與GaN和ZnO晶格失配最小的新型襯底材料。S...

鋁酸鋰單晶與氮化鎵的晶格失配率非常?。ㄤX酸鋰為1.4%）而成為氮化鎵薄膜的優(yōu)質(zhì)基片。...

碳化硅（SiC）單晶具有許多優(yōu)良的性質(zhì)，熱導率高、飽和電子遷移率高、抗電壓擊穿能力強等，適合于制備高頻率、高功率、耐高溫以及耐輻照的...

氧化鋅(ZnO)單晶基片是很好的GaN薄膜襯底材料，具有60mev的激子束縛能以及室溫下3.73ev帶寬使之成為紫外以及可見光發(fā)光材...

MgAl6O10單晶是最近發(fā)現(xiàn)的一種GaN和ZnO外延生長用新型襯底材料。MgAl6O10單晶屬于立方晶系，空間群為Fd-3m (...